温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
描述: TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
商品二维码
封 装: TO-3-3
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
10.92  元 10.92元
5+:
¥ 12.7706
50+:
¥ 12.2248
200+:
¥ 11.9192
500+:
¥ 11.8428
1000+:
¥ 11.7664
2500+:
¥ 11.6791
5000+:
¥ 11.6245
7500+:
¥ 11.5699
数量
5+
50+
200+
500+
1000+
价格
12.7706
12.2248
11.9192
11.8428
11.7664
价格 12.7706 12.2248 11.9192 11.8428 11.7664
起批量 5+ 50+ 200+ 500+ 1000+
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(9691) 起订量(5)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
Chip AI consultant  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/正向电压: 0.86 V

技术参数/正向电流: 30 A

技术参数/最大正向浪涌电流(Ifsm): 350 A

技术参数/正向电压(Max): 860mV @30A

技术参数/正向电流(Max): 60 A

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-3-3

外形尺寸/长度: 16.38 mm

外形尺寸/宽度: 4.45 mm

外形尺寸/高度: 21.34 mm

外形尺寸/封装: TO-3-3

物理参数/工作温度: 40℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
V60100P-E3/45 V60100P-E3/45 LiteOn (光宝) 功能相似 TO-247
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.456 V在IF = 10 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A
V60100P-E3/45 V60100P-E3/45 VISHAY (威世) 功能相似 TO-247-3
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.456 V在IF = 10 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 A
PDF

最新上架产品

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空