技术参数/频率: 130 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 1.6 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 150 @2A, 1V
技术参数/额定功率(Max): 1.6 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 300
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.6 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/长度: 6.5 mm
外形尺寸/宽度: 3.5 mm
外形尺寸/高度: 1.8 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Power Management, Industrial, 电源管理, 照明, Lighting, 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NSV60600MZ4T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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