技术参数/频率： | 100 MHz |
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技术参数/无卤素状态： | Halogen Free |
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技术参数/针脚数： | 4 |
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技术参数/极性： | PNP |
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技术参数/耗散功率： | 2 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 60 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 6A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 120 @1A, 2V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 800 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 120 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-261-4 |
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外形尺寸/长度： | 6.7 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.7 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.65 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-261-4 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NSS60600MZ4T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-261-4 |
ON SEMICONDUCTOR NSS60600MZ4T1G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -6 A, 150 hFE
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NSS60600MZ4T3G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-261-4 |
60 V ， 6.0 A，低VCE （ sat）的PNP晶体管 60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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NSV60600MZ4T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-261-4 |
PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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