技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 70 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.50 A
技术参数/上升时间: 12 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 560pF @50V(Vds)
技术参数/下降时间: 10 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 70W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-251-3
外形尺寸/长度: 6.6 mm
外形尺寸/宽度: 2.4 mm
外形尺寸/高度: 6.2 mm
外形尺寸/封装: TO-251-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIHP7N60E-GE3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
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SIHP7N60E-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
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SIHP7N60E-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
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SPU07N60C3
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-251-3 |
INFINEON SPU07N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
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