技术参数/额定电压(DC): 650 V
技术参数/额定电流: 7.30 A
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.54 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 83 W
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/输入电容: 790 pF
技术参数/栅电荷: 27.0 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 650 V
技术参数/漏源击穿电压: 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.30 A
技术参数/上升时间: 3.5 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 790pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 83 W
技术参数/下降时间: 7 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 83W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-251-3
外形尺寸/长度: 6.73 mm
外形尺寸/宽度: 2.38 mm
外形尺寸/高度: 6.22 mm
外形尺寸/封装: TO-251-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIHP7N60E-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
|
||
SIHP7N60E-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
|
||
SIHP7N60E-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
|
||
SPI07N60S5HKSA1
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-262-3-1 |
TO-262 N-CH 600V 7.3A
|
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STD8NM60N-1
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-251-3 |
N沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK
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