技术参数/额定电压(DC): 20.0 V
技术参数/额定电流: 20.0 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 200 W
技术参数/输入电容: 2300 pF
技术参数/上升时间: 220 ns
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 442 V
技术参数/热阻: 62.5 ℃/W
技术参数/额定功率(Max): 200 W
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 9.35 mm
外形尺寸/高度: 4.6 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Power Management, Automotive, 电源管理, 车用
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STGB20NB41LZ
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | D2PAK |
N沟道固支20A - DPAK内部钳位的PowerMESH IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
|
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