技术参数/额定电压(DC): 80.0 V
技术参数/额定电流: 1.00 A
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 800 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 2000 @500mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 800 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/长度: 6.5 mm
外形尺寸/宽度: 3.5 mm
外形尺寸/高度: 1.57 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSP51,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-261-4 |
复合晶体管，Nexperia ### 双极晶体管，Nexperia
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BSP51,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-261-4 |
复合晶体管，Nexperia ### 双极晶体管，Nexperia
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BSP52T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-261-4 |
ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE
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BSP52T3G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-261-4 |
ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223
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