技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 1.7 Ω
技术参数/耗散功率: 1.5 W
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/输入电容: 100 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/输入电容(Ciss): 100pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1.5 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.5W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/长度: 6.7 mm
外形尺寸/宽度: 3.7 mm
外形尺寸/高度: 1.7 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业, 通信与网络, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSP122,115
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-261-4 |
N 通道 MOSFET，100V 及更高，Nexperia ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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BSP122,115
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Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-261-4 |
N 通道 MOSFET，100V 及更高，Nexperia ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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IRFM210B
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-223 |
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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STN1HNK60
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-261-4 |
STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
|
||
STN1HNK60
|
ST | 功能相似 | SOT-223 |
STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
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ZVN2110G
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-223 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
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ZVN2110G
|
Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-223 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
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ZVN2110GTA
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-223 |
ZVN2110G 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-223
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