技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 0.0019 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 6.25 W
技术参数/阈值电压: 2.5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 60.0 A
技术参数/上升时间: 31 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 5660pF @20V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 104 W
技术参数/下降时间: 39 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 6250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/封装: SO-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2500
其他/制造应用: 电源管理, 工业
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIR414DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
VISHAY SIR414DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1 V
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SIR414DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | PowerPAK SO |
VISHAY SIR414DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1 V
|
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SIR814DP-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOIC |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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SIR814DP-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SOIC-8 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
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