技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 5.4W (Ta), 83W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/输入电容(Ciss): 4750pF @20V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/封装: SO-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN2R6-40YS
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-669 |
NXP PSMN2R6-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 3 V
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SIR470DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
VISHAY SIR470DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V
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SIR470DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | PowerPAK SO |
VISHAY SIR470DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V
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SIR470DP-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SO-8 |
VISHAY SIR470DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V
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