技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.23 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 34 W
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 15A
技术参数/上升时间: 26 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1350pF @100V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 34 W
技术参数/下降时间: 22 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 34W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
其他/最小包装: 50
其他/制造应用: 工业, 便携式器材, 计算机和计算机周边, 替代能源, 电源管理, 通信与网络, 照明, 电机驱动与控制
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FCPF260N60E
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-220F-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V
|
||
IPA60R280E6XKSA1
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
|
||
IPA60R280P6XKSA1
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
INFINEON IPA60R280P6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
|
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SIHF15N60E-E3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
VISHAY SIHF15N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
|
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SPA16N50C3XKSA1
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
INFINEON SPA16N50C3XKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
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