技术参数/额定功率: 32 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.252 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 32 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 1190 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 13.8A
技术参数/上升时间: 6 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1190pF @100V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 32 W
技术参数/下降时间: 6 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 32W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.65 mm
外形尺寸/宽度: 4.9 mm
外形尺寸/高度: 16.15 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: , telecom rectifier,, PWM stages (TTF, LLC) for, PFC stages for
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF15N60E-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY SIHF15N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
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||
SIHF15N60E-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220 |
VISHAY SIHF15N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
|
||
SIHF15N60E-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
VISHAY SIHF15N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V
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