技术参数/漏源极电阻: 0.063 Ω
技术参数/极性: N-Channel, Dual N-Channel
技术参数/耗散功率: 830 mW
技术参数/阈值电压: 1 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.40 A
技术参数/上升时间: 10 ns
技术参数/热阻: 126℃/W (RθJA)
技术参数/额定功率(Max): 830 mW
技术参数/下降时间: 8 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: TSSOP-8
外形尺寸/长度: 4.5 mm
外形尺寸/宽度: 3 mm
外形尺寸/高度: 1.05 mm
外形尺寸/封装: TSSOP-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/06/16
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI6928DQ-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TSSOP-8 |
MOSFET N-CH DUAL 30V 4A 8TSSOP
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TSSOP |
MOSFET N-CH DUAL 30V 4A 8TSSOP
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SI6954ADQ-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TSSOP-8 |
Single N-Channel 30V 0.053Ω 0.83W Surface Mount Power Mosfet - TSSOP-8
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