技术参数/漏源极电阻: 50.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel, Dual N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.00 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.00 A
技术参数/额定功率(Max): 1 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: TSSOP-8
外形尺寸/封装: TSSOP-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI6954ADQ-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TSSOP-8 |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 8Pin TSSOP T/R
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SI6954ADQ-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TSSOP-8 |
Single N-Channel 30V 0.053Ω 0.83W Surface Mount Power Mosfet - TSSOP-8
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