技术参数/耗散功率: 1.3W (Ta)
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/耗散功率(Max): 1.3W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装(公制): 3216
封装参数/封装: 1206
外形尺寸/长度: 3.05 mm
外形尺寸/宽度: 1.65 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装(公制): 3216
外形尺寸/封装: 1206
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI5401DC-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
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SI5441DC-T1-E3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | 1206 |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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SI5441DC-T1-E3
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Visay | 完全替代 |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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SI5441DC-T1-E3
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VISHAY (威世) | 完全替代 | CHIP |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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SI5441DC-T1-E3
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Vishay Intertechnology | 完全替代 |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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SI5443DC-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | ChipFET-8 |
MOSFET 20V 4.9A 2.5W
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SI5443DC-T1-E3
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VISHAY (威世) | 完全替代 | ChipFET-8 |
MOSFET 20V 4.9A 2.5W
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SI5443DC-T1-E3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | 1206 |
MOSFET 20V 4.9A 2.5W
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