技术参数/漏源极电阻: 65 mΩ
技术参数/极性: P-CH
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.6A
技术参数/上升时间: 30 ns
技术参数/额定功率(Max): 1.3 W
技术参数/下降时间: 35 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1300 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: ChipFET-8
外形尺寸/封装: ChipFET-8
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 3000
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI5401DC-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
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SI5441DC-T1-E3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | 1206 |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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||
SI5441DC-T1-E3
|
Visay | 完全替代 |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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|
SI5441DC-T1-E3
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VISHAY (威世) | 完全替代 | CHIP |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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SI5441DC-T1-E3
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Vishay Intertechnology | 完全替代 |
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
|
|||
SI5461EDC-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | 1206 |
MOSFET 20V 6.2A 2.5W 45mohm @ 4.5V
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