技术参数/极性: P-Channel
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -5.90 A
技术参数/上升时间: 12 ns
技术参数/额定功率(Max): 1.3 W
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.3 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SMD-8
外形尺寸/长度: 3.05 mm
外形尺寸/宽度: 1.65 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: SMD-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4431BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SO-8 |
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
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SI5403DC-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SMD-8 |
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
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SI5435BDC-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | 1206 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
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SI5435BDC-T1-GE3
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | 1206 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
|
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SI5435BDC-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | 1206 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
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||
SI5435BDC-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SMD-8 |
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
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