技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 0.035 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1.3 W
技术参数/漏源极电压(Vds): -30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -5.90 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装(公制): 3216
封装参数/封装: 1206
外形尺寸/长度: 3.2 mm
外形尺寸/宽度: 1.6 mm
外形尺寸/封装(公制): 3216
外形尺寸/封装: 1206
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4431BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SO-8 |
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
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SI4431DY
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SO |
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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SI4431DY
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SO |
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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SI5403DC-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SMD-8 |
P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SMD-8
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Zetex | 功能相似 | SOIC-8 |
场效应管(MOSFET) ZXMP3A16N8TA SO-8
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