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型号: SI4431DY
描述: P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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封 装: SO
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/漏源极电阻: 32.0 mΩ

技术参数/极性: P-Channel

技术参数/耗散功率: 2.50 W

技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SO

外形尺寸/封装: SO

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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