技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 0.0093 Ω
技术参数/极性: N-Channel, Dual N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.25 W
技术参数/阈值电压: 1 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.80 A
技术参数/上升时间: 9 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 5 mm
外形尺寸/高度: 1.55 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4816BDY-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | SOIC-8 |
MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
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SI4816BDY-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | SOIC-8 |
MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
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SI4816DY-T1-E3
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VISHAY (威世) | 完全替代 | SOIC |
DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...
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Vishay Intertechnology | 完全替代 |
DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...
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SI4816DY-T1-E3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | SOIC-8 |
DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...
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SI4816DY-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | SO |
DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...
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SI4816DY-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
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