技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0155 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel, Dual N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.25 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/上升时间： | 9 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Power Management, Industrial |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4816BDY-T1-E3
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VISHAY (威世) | 完全替代 | SOIC-8 |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8Pin SOIC N T/R
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SI4816BDY-T1-E3
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VISHAY | 完全替代 | SOP8 |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8Pin SOIC N T/R
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SI4816BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | SOIC-8 |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8Pin SOIC N T/R
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SI4816BDY-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | SOIC-8 |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8Pin SOIC N T/R
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SI4816DY-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOIC |
DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...
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Vishay Intertechnology | 类似代替 |
DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...
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SI4816DY-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOIC-8 |
DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...
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SI4816DY-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SO |
DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...
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SI4816DY-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
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