技术参数/耗散功率: 2W (Ta), 3.2W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/输入电容(Ciss): 610pF @10V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOT-23-6
外形尺寸/长度: 3.05 mm
外形尺寸/宽度: 1.65 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: TSOT-23-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3443T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-6 |
ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -950 mV
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PMN50XP,165
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | TSOP-457 |
NXP PMN50XP,165 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -750 mV
|
||
PMN50XP,165
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | TSOP-457 |
NXP PMN50XP,165 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -750 mV
|
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SI3443CDV-T1-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | TSOP-6 |
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
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SI3443CDV-T1-E3
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VISHAY (威世) | 完全替代 | TSOP-6 |
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
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SI3443CDV-T1-E3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TSOT-23-6 |
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
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SI3451DV-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TSOT-23-6 |
Mosfet p-Ch 20V 2.8A 6-Tsop
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SI3451DV-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TSOP-6 |
Mosfet p-Ch 20V 2.8A 6-Tsop
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SI3451DV-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOP |
Mosfet p-Ch 20V 2.8A 6-Tsop
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SI3451DV-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
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SI3867DV-T1-E3
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TSOP-6 |
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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