技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 0.048 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 2.2 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -4.80 A
技术参数/输入电容(Ciss): 1020pF @20V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2.2 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.2W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOP-457
外形尺寸/长度: 3.1 mm
外形尺寸/宽度: 1.7 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: TSOP-457
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3136PT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-6 |
P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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NTGS3441T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-6 |
1A,-20V,功率MOSFET
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Nexperia (安世) | 功能相似 | 6 |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 6Pin TSOP
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PMN50XP
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TT |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 6Pin TSOP
|
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SI3443CDV-T1-GE3
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TSOP-6 |
单 P沟道 20 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6
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SI3443CDV-T1-GE3
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VISHAY/威世 | 功能相似 | SOIC8 |
单 P沟道 20 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6
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||
SI3443CDV-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TSOT-23-6 |
单 P沟道 20 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6
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||
SI3443CDV-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TSOT-23-6 |
单 P沟道 20 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6
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