技术参数/漏源极电阻: 0.045 Ω
技术参数/耗散功率: 860 mW
技术参数/阈值电压: 1.8 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/输出电流(Max): 860 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 295pF @10V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 860mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOT-23-6
外形尺寸/封装: TSOT-23-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/06/16
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3130NT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-6 |
N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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NTGS3446T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-6 |
N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
|
||
SI3442BDV-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TSOP-6 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6Pin TSOP T/R
|
||
SI3442BDV-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TSOT-23-6 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6Pin TSOP T/R
|
||
SI3442BDV-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TSOP-6 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6Pin TSOP T/R
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