芯片AI顾问
技术参数/额定电压(DC)： | 20.0 V |
|
技术参数/额定电流： | 5.10 A |
|
技术参数/针脚数： | 6 |
|
技术参数/漏源极电阻： | 0.045 Ω |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 2 W |
|
技术参数/阈值电压： | 850 mV |
|
技术参数/输入电容： | 510pF @10V |
|
技术参数/栅电荷： | 15.0 nC |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 20 V |
|
技术参数/栅源击穿电压： | ±12.0 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 5.10 A |
|
技术参数/上升时间： | 12 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 750pF @10V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 500 mW |
|
技术参数/下降时间： | 20 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 500mW (Ta) |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 6 |
|
封装参数/封装： | SOT-23-6 |
|
外形尺寸/长度： | 3.1 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 1.7 mm |
|
外形尺寸/高度： | 1 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOT-23-6 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2016/06/20 |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3446T1
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-6 |
5.1A,20V功率MOSFET
|
||
SI3442BDV-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TSOT-23-6 |
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
|
||
SI3442BDV-T1-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TSOP |
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价