封装参数/封装: TO-236-3
外形尺寸/封装: TO-236-3
其他/제조업체: Vishay
其他/제품 카테고리: MOSFET Small Signal
其他/RoHS: Non-Compliant
其他/구성: Single
其他/트랜지스터 극성: N-Channel
其他/드레인-소스 항복 전압: 30 V
其他/게이트-소스 항복 전압: +/- 20 V
其他/연속 드레인 전류: 3.16 A
其他/전력 발산: 750 mW
其他/최대 작동 온도: 150 C
其他/장착 스타일: SMD/SMT
其他/Case/Package: TO-236-3
其他/포장: Reel
其他/최소 작동 온도: 55 C
其他/Standard Pack Qty: 3000
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002ET1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
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AO3418
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ETC | 功能相似 | SOT-23-3 |
30V,3.8A,N沟道MOSFET
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AO3418
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Alpha (阿尔法) | 功能相似 |
30V,3.8A,N沟道MOSFET
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BSS123-7-F
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23-3 |
三极管
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RTR040N03TL
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V
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ZXMN3F30FHTA
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-23 |
ZXMN3F30 系列 30 V 0.047 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23
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ZXMN3F30FHTA
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ZXMN3F30 系列 30 V 0.047 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23
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