技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.066 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/阈值电压: 1.5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.00 A
技术参数/上升时间: 18 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 475pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/下降时间: 19 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.60 mm
外形尺寸/高度: 0.85 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not For New Designs
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业, Power Management, Industrial, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDN335N
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN335N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
|
||
FDN335N
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN335N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
|
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