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型号: FDN335N
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN335N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
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封 装: SOT-23-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定电压(DC): 20.0 V

技术参数/额定电流: 1.70 A

技术参数/额定功率: 500 mW

技术参数/通道数: 1

技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.055 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 500 mW

技术参数/阈值电压: 900 mV

技术参数/输入电容: 40.0 pF

技术参数/栅电荷: 3.50 nC

技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V

技术参数/漏源击穿电压: -60.0 V

技术参数/栅源击穿电压: ±8.00 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.70 A

技术参数/上升时间: 8.5 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 310pF @10V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 460 mW

技术参数/下降时间: 3 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 0.5 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: SOT-23-3

外形尺寸/长度: 2.92 mm

外形尺寸/宽度: 1.4 mm

外形尺寸/高度: 0.94 mm

外形尺寸/封装: SOT-23-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15

海关信息/ECCN代码: EAR99

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