技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 750mW (Ta)
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.00 A
技术参数/输入电容(Ciss): 305pF @15V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 750mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002ET1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
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AO3418
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ETC | 功能相似 | SOT-23-3 |
30V,3.8A,N沟道MOSFET
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AO3418
|
Alpha (阿尔法) | 功能相似 |
30V,3.8A,N沟道MOSFET
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BSS123-7-F
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23-3 |
三极管
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RTR040N03TL
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V
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ZXMN3F30FHTA
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-23 |
ZXMN3F30 系列 30 V 0.047 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23
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ZXMN3F30FHTA
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ZXMN3F30 系列 30 V 0.047 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23
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