技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.033 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 750 mW
技术参数/阈值电压: 950 mV
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/漏源击穿电压: 20.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±12.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.90 A
技术参数/上升时间: 1400 ns
技术参数/下降时间: 5900 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 750 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-236
外形尺寸/高度: 1.02 mm
外形尺寸/封装: TO-236
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Industrial, Portable Devices, Power Management
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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SI2314EDS-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3Pin SOT-23 T/R
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SI2314EDS-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3Pin SOT-23 T/R
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