技术参数/漏源极电阻: 33 mΩ
技术参数/极性: N-CH
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.9A
技术参数/上升时间: 1400 ns
技术参数/下降时间: 5900 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 750mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 3000
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay Intertechnology | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3Pin TO-236 T/R
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SI2314EDS-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3Pin TO-236 T/R
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SI2314EDS-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-236 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3Pin TO-236 T/R
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SI2314EDS-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3Pin TO-236 T/R
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