技术参数/针脚数: 3
技术参数/反向恢复时间: 50 ns
技术参数/正向电流: 225 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 9 A
技术参数/正向电压(Max): 1.25 V
技术参数/正向电流(Max): 225 mA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323
外形尺寸/长度: 2.2 mm
外形尺寸/宽度: 1.35 mm
外形尺寸/高度: 1.1 mm
外形尺寸/封装: SOT-323
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 155℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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WEJ Electronic | 完全替代 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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Luguang Electronic | 完全替代 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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SHIKUES (时科) | 完全替代 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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Yea Shin Technology | 完全替代 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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TY Semiconductor | 完全替代 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAS21W
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Diodes (美台) | 完全替代 | SOT-323 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAS21W
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Nexperia (安世) | 完全替代 | SOT-323 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAS21W
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Comchip Technology (上华科技) | 完全替代 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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