| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BAS21AW
|
Nexperia (安世) | 完全替代 | SOT-323 |
NXP BAS21AW 二极管 小信号, 双共阳极, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
|
||
BAS21AW
|
NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-323 |
NXP BAS21AW 二极管 小信号, 双共阳极, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
|
||
|
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23 |
Diode Switching 250V 0.2A 3Pin SOT-23
|
||
BAS21S
|
Galaxy Semi-Conductor | 类似代替 |
Diode Switching 250V 0.2A 3Pin SOT-23
|
|||
BAS21S
|
Kexin | 类似代替 |
Diode Switching 250V 0.2A 3Pin SOT-23
|
|||
|
|
WEJ Electronic | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
|
|||
|
|
Luguang Electronic | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
|
|||
|
|
SHIKUES (时科) | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
|
|||
|
|
Yea Shin Technology | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
|
|||
|
|
TY Semiconductor | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
|
|||
BAS21W
|
Diodes (美台) | 类似代替 | SOT-323 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
|
||
BAS21W
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | SOT-323 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
|
||
BAS21W
|
Comchip Technology (上华科技) | 类似代替 |
小信号开关二极管,Nexperia ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价