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型号： PBSS4032NT

描述：低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia

品牌： Nexperia (安世)

封装： SOT-23

货期：

包装方式：

标准包装数： 1

5+:

￥ 2.0277

25+:

￥ 1.8775

50+:

￥ 1.7724

100+:

￥ 1.7273

500+:

￥ 1.6973

2500+:

￥ 1.6597

5000+:

￥ 1.6447

10000+:

￥ 1.6222

价格	￥ 2.0277	￥ 1.8775	￥ 1.7724	￥ 1.7273	￥ 1.6973
起批量	5+	25+	50+	100+	500+

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替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
PBSS4021PT	NXP (恩智浦)	功能相似	SOT-23	PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors	PDF
PBSS4032NT,215	Nexperia (安世)	功能相似	SOT-23-3	NXP PBSS4032NT,215 单晶体管双极, NPN, 30 V, 180 MHz, 600 mW, 2.6 A, 100 hFE	PDF
PBSS4032NT,215	NXP (恩智浦)	功能相似	SOT-23-3	NXP PBSS4032NT,215 单晶体管双极, NPN, 30 V, 180 MHz, 600 mW, 2.6 A, 100 hFE	PDF
PBSS4041NT	NXP (恩智浦)	功能相似	SOT-23	低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
PBSS4041PT	NXP (恩智浦)	功能相似	SOT-23	低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia	PDF