技术参数/频率: 50 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 1.75 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @4A, 1V
技术参数/额定功率(Max): 1.75 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 60
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1750 mW
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252-3
外形尺寸/封装: TO-252-3
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电源管理, 工业
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSH44H11TF
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
通用电源和开关 General Purpose Power and Switching
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KSH44H11TM
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
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MJD44H11TF
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-252-3 |
ON Semiconductor MJD44H11TF , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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MJD44H11TF
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-252-3 |
ON Semiconductor MJD44H11TF , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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