技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 80 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 40 @4A, 1V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.75 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1750 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSH44H11TM
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-252-3 |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD44H11TF
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-252-3 |
ON Semiconductor MJD44H11TF , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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MJD44H11TF
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-252-3 |
ON Semiconductor MJD44H11TF , NPN 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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MJD44H11TM
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FAIRCHILD/仙童 | 完全替代 | TO-252 |
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 50 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
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MJD44H11TM
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FAIRCHILD | 完全替代 | TO-252 |
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 50 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
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MJD44H11TM
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-252-3 |
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 50 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
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MJD44H11TM
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-252-3 |
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 50 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
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