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描述: LITTELFUSE MG12150S-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 200A, 1.7V, 625W, 1.2kV, Module
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技术参数/极性: NPN

技术参数/耗散功率: 625 W

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 1200 V

技术参数/输入电容(Cies): 10.5nF @25V

技术参数/额定功率(Max): 625 W

技术参数/工作温度(Max): 125 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 625000 mW

封装参数/安装方式: Chassis

封装参数/引脚数: 7

封装参数/封装: S-3

外形尺寸/封装: S-3

物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Bulk

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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