技术参数/耗散功率: 50 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/上升时间: 11 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 657pF @30V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 50 W
技术参数/下降时间: 7 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 50W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: VDFN-8
外形尺寸/长度: 3.4 mm
外形尺寸/宽度: 3.4 mm
外形尺寸/高度: 0.95 mm
外形尺寸/封装: VDFN-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PML260SN
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | QFN |
Power Field-Effect Transistor
|
||
PML260SN,118
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | VDFN-8 |
MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
|
||
PML260SN,118
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | VDFN-8 |
MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
|
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