技术参数/耗散功率: 250 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 150 V
技术参数/上升时间: 71 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 3680pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 250 W
技术参数/下降时间: 76 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.3 mm
外形尺寸/宽度: 9.4 mm
外形尺寸/高度: 4.5 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN030-150B
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor
|
|||
PSMN030-150B,118
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-263-3 |
D2PAK N-CH 150V 55.5A
|
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