技术参数/漏源极电阻: 0.0029 Ω
技术参数/耗散功率: 54 W
技术参数/阈值电压: 2.4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/输入电容(Ciss): 2730pF @15V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/封装: SO-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFH5304TRPBF
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | PQFN-8 |
INFINEON IRFH5304TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 79A, 30V, 3.6W
|
||
SI7170DP-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
N-Ch 30V 40A 3.4mOhm 48W (D-S) Mosfet - SOIC-8
|
||
SI7772DP-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | PowerPAK SO |
Single N-Channel 30V 13mOhm SMT TrenchFET Gen III Power Mosfet - PowerPAK SO-8
|
||
SI7772DP-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
Single N-Channel 30V 13mOhm SMT TrenchFET Gen III Power Mosfet - PowerPAK SO-8
|
||
SI7788DP-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
|
||
SI7788DP-T1-GE3
|
Vishay Intertechnology | 类似代替 | SO-8 |
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
|
||
SIJ400DP-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOIC |
VISHAY SIJ400DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 32A, 30V, 3.3mohm, 10V, 1.2V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价