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技术参数/额定功率： | 3.6 W |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 4.5 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 3.6 W |
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技术参数/产品系列： | IRFH5304 |
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技术参数/阈值电压： | 2.35 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 79.0 A |
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技术参数/上升时间： | 25 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2360pF @10V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 3.6 W |
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技术参数/下降时间： | 6.6 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3.6W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | PQFN-8 |
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外形尺寸/宽度： | 5 mm |
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外形尺寸/封装： | PQFN-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Isolated Primary Side MOSFETs, Point of Load ControlFET |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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SIR468DP-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
VISHAY SIR468DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷
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SI7336ADP-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | PowerPAKSO-8 |
VISHAY SI7336ADP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V
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SIR466DP-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | SO-8 |
VISHAY SIR466DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷
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