技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 250 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 730 mW
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.50 A, 1.15 A
技术参数/上升时间: 11 ns
技术参数/额定功率(Max): 730 mW
技术参数/下降时间: 10 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 730 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1.02 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 3000
其他/制造应用: Power Management, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML0100TRPBF
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML0100TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V
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IRLML0100TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML0100TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V
|
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|
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 |
NXP PMV213SN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 3 V
|
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PMV213SN
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
NXP PMV213SN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 3 V
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SI2328DS-T1-GE3
|
VIS | 功能相似 | SOT-23 |
VISHAY SI2328DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 195 mohm, 10 V, 4 V
|
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SI2328DS-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2328DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 195 mohm, 10 V, 4 V
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