技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.25 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 1.90 A |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23 |
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外形尺寸/封装： | SOT-23 |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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其他/制造应用： | Industrial, Power Management |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML0100TRPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML0100TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V
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IRLML0100TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML0100TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V
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PMV213SN,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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SI2328DS-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
VISHAY SI2328DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
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SI2328DS-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2328DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
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||
SI2328DS-T1-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2328DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
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