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型号： STB19NB20
描述： N - 沟道增强型的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET
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品 牌： ST Microelectronics (意法半导体)
封 装： D2PAK
货 期：
包装方式： Tube
标准包装数： 1
0元
  • 运费：   有货 运费价格：¥13.00
  • 数量： 库存(1088) 起订量(1)
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技术参数/极性: N-CH

技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 19A

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/封装: D2PAK

外形尺寸/封装: D2PAK

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF International Rectifier (国际整流器) 功能相似 TO-263-3
D2PAK N-CH 200V 18A
PDF
IRF640S IRF640S Vishay Siliconix 类似代替 TO-263-3
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
IRF640S IRF640S International Rectifier (国际整流器) 类似代替 D2PAK
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
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