技术参数/额定电压(DC): | 200 V |
|
技术参数/额定电流: | 18.0 A |
|
技术参数/极性: | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率: | 150 W |
|
技术参数/产品系列: | IRF640NS |
|
技术参数/漏源极电压(Vds): | 200 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids): | 110 A, 18.0 A |
|
技术参数/上升时间: | 19.0 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss): | 1160pF @25V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max): | 150 W |
|
封装参数/安装方式: | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数: | 3 |
|
封装参数/封装: | TO-263-3 |
|
外形尺寸/封装: | TO-263-3 |
|
其他/产品生命周期: | Active |
|
其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准: | Lead Free |
|
型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK
|
||
![]() |
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | D2PAK |
功率MOSFET Power MOSFET
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价