技术参数/漏源极电阻: 180 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 3.1 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 18.0 A
技术参数/上升时间: 51 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1300pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 36 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 2000
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640NSPBF
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK 新
|
||
IRF640NSTRRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
|
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