技术参数/额定功率: 1 W
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 1.8 Ω
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/阈值电压: 1.6 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/漏源击穿电压: 40 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 0.45A
技术参数/上升时间: 7 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 70 pF
技术参数/下降时间: 5 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.21 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6660
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-205 |
晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
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2N6660
|
Solid State | 功能相似 | TO-205 |
晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
|
||
|
|
NJS | 功能相似 |
晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
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|||
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|
Chenmko | 类似代替 | SOT-323 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
|
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2N7002E
|
SLKOR | 类似代替 | SOT23 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
|
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2N7002E
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
|
||
2N7002E
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
|
||
2N7002E
|
Ledil | 类似代替 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
|
|||
2N7002E
|
Philips (飞利浦) | 类似代替 | SOT-23 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
|
||
2N7002E
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
|
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2N7002E
|
Panasonic (松下) | 类似代替 | SOT-23-3 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
|
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TN0104N3-G-P014
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Microchip (微芯) | 类似代替 | TO-92-3 |
Trans MOSFET N-CH 40V 0.45A 3Pin TO-92 T/R
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