技术参数/频率: 100 MHz
技术参数/针脚数: 6
技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/增益频宽积: 100 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 120 @1mA, 6V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 120 @1mA, 6V
技术参数/额定功率(Max): 300 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 120
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SOT-363-6
外形尺寸/长度: 2.2 mm
外形尺寸/宽度: 1.35 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-363-6
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 工业, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC847BPDW1T2G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-363-6 |
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
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Kexin | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC847S 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
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BC847S
|
CJ/江苏长电/长晶 | 功能相似 | SOT-323 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC847S 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
|
||
BC847S
|
Siemens Semiconductor (西门子) | 功能相似 | SOT-363 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC847S 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
|
||
BC847S
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SC-70-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC847S 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
|
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BC847S
|
Diotec Semiconductor | 功能相似 | SOT-363 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC847S 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
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UMX1NTN
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ROHM/罗姆 | 功能相似 | SOT-363 |
ROHM UMX1NTN 双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363
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