技术参数/正向电压: 1.7 V
技术参数/热阻: 20 ℃/W
技术参数/反向恢复时间: 75 ns
技术参数/最大反向电压（Vrrm）: 800 V
技术参数/正向电流: 3 A
技术参数/最大反向漏电流（Ir）: 10 uA
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-201AD
外形尺寸/封装: DO-201AD
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 1400
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Galaxy Semi-Conductor | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
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HY Electronic | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
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1N5407G
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Secos | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
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1N5407G
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DIYI Electronic | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
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1N5407G
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EIC | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
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Electronics Industry | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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迪一电子 (迪一) | 类似代替 | DO-201AD |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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Jinan Gude Electronic Device | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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HER307
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DC Components | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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HY Electronic | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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HER307
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Leshan Radio (乐山无线电) | 类似代替 | DO-201AD |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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HER307
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Galaxy Semi-Conductor | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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HER307
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SynSemi | 类似代替 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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HER307
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台湾唯圣 (台湾唯圣) | 类似代替 | DO-27 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER307 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
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