技术参数/负载电流: 3 A
其他/Type of diode: rectifying
其他/Mounting: THT
其他/Max. off-state voltage: 800V
其他/Forward voltage at If: 1.7V
其他/Load current: 3A
其他/Semiconductor structure: single diode
其他/Features of semiconductor devices: fast diode
其他/Kind of package: Ammo Pack
其他/Case: DO27
其他/Reverse recovery time: 100ns
其他/Max. forward impulse current: 150A
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Galaxy Semi-Conductor | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
|
|||
|
|
HY Electronic | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
|
|||
1N5407G
|
Secos | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
|
|||
|
1N5407G
|
DIYI Electronic | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
|
||
|
1N5407G
|
EIC | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5407G 标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1 V, 200 A 新
|
||
|
|
DIYI Electronic | 功能相似 | DO-201AD |
DO-201AD 800V 3A 500ns
|
||
FR306
|
Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-201AD |
DO-201AD 800V 3A 500ns
|
||
FR306
|
Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | DO-201AD |
DO-201AD 800V 3A 500ns
|
||
UF5407-E3/54
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-201AD |
VISHAY UF5407-E3/54 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
|
||
|
UF5407-E3/54
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-201AD |
VISHAY UF5407-E3/54 快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 1.7 V, 75 ns, 150 A
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价